硒化鋅介紹：
硒化鋅材料是一種黃色透明的多晶材料, 結晶顆粒大小約為70μm, 透光范圍0.5-15μm。由化學氣相沉積(CVD)方法合成的基本不存在雜質吸收, 散射損失極低。由于對10.6μm波長光的吸收很小, 因此成為制作高功率CO2激光器系統中光學器件的首選材料。 此外在其整個透光波段內, 也是在不同光學系統中所普遍使用的材料。也用來制作全反射鏡，半反射鏡，擴束鏡，平場透鏡，中紅外鏡片，遠紅外10.6Um/CO2大小功率激光器上各種平凸透鏡，凸凹月牙切割透鏡，鍍金反射鏡，圓偏振鏡，擴束鏡，平場透鏡等。
硒化鋅材料對熱沖擊具有很高的承受能力, 使它成為高功率CO2激光器系統中的最佳光學材料。硬度只是多光譜級ZnS的2/3, 材質較軟易產生劃痕, 而且材料折射率較大, 所以需要在其表面鍍制高硬度減反射膜來加以保護并獲得較高的透過率。在其常用光譜范圍內, 散射很低。在用做高功率激光器件時, 需要嚴格控制材料的體吸收和內部結構缺陷, 并采用最小破壞程度的拋光技術和最高光學質量的鍍膜工藝。廣泛應用于激光,醫學，天文學和紅外夜視等領域中。
目前制備ZnSe主要方法為化學氣相沉積法(CVD)，使用化學氣相沉積真空爐設備，以高純度鋅和高純度H2Se氣體為原料，以高純惰性氣體Ar氣體為載氣，在600℃～800℃的溫度范圍內將Zn蒸發為Zn蒸汽，由Ar氣攜帶進入沉積室內，與同樣由Ar攜帶進入到沉積室H2Se氣體在650℃～850℃溫度范圍內得到ZnSe產品，沉積到石墨襯底上。
步驟一，將厚度為30mm～50mm的一次成品多晶硒化鋅片的作為待沉積面的一個表面進行表面處理，得到該表面的粗糙度小于Ra20的硒化鋅拋光片，將硒化鋅拋光片等離子清洗后置于石墨襯底沉積器的石墨襯底上；
步驟二，將鋅料安裝在坩堝內；
步驟三，將石墨襯底沉積器安裝在石墨坩堝上且石墨襯底沉積器和石墨坩堝上下連通，再置于化學氣相沉積真空爐內；
步驟四，在室溫下，化學氣相沉積真空爐通氬氣，維持化學氣相沉積真空爐的爐內的真空度；
步驟五，坩堝升溫至坩堝的鋅蒸發溫度，石墨襯底沉積器升溫至化學氣相沉積溫度；
步驟六，坩堝內的鋅開始蒸發，向石墨襯底沉積器內通入氬氣攜帶的硒化氫氣體，向坩堝內通入氬氣且坩堝內的蒸發的鋅蒸汽經由氬氣攜帶進入石墨襯底沉積器，在石墨襯底沉積器內，氬氣攜帶的鋅蒸汽和氬氣攜帶硒化氫氣體反應以使硒化鋅化學氣相沉積在硒化鋅拋光片的待沉積面上；
步驟七，坩堝內的鋅蒸發完畢，停止硒化氫氣體的通入，坩堝降溫至室溫，石墨襯底沉積器降溫至室溫，出爐得到最終整體厚度為60mm～100mm的二次成品多晶硒化鋅。
化學指標：
化學成分主要從雜質方面對硒化鋅產品進行規定：
ZnSe：99.999%
Cd：0.0001% Pb：0.0001% Sn：0.0001% Te：0.0001% Fe：0.0001%
Al：0.0001% In：0.0001% Ni：0.0001% Cu：0.0001% Ag：0.0001%
總和：0.001%
硒化鋅為由5N硒化氫和5N鋅通過化學氣相沉結（CVD）法合成的物質，合成方法本身也是個純化的過程，雜質主要考慮由硒合成的硒化氫及鋅在氣相沉積合成中帶來的雜質，其中鎘、鉛、錫、鐵、銀、鋁、銦、鎳、銅容易由鋅帶來雜質的影響，碲、鐵、銀、鎳容易由硒帶入所以對這些雜質做出要求和限制。
光學性能、熱力學、機械性能等技術指標：
硒化鋅是一種廣泛應用于紅外夜視、激光、全反射鏡、半反射鏡等各種特征光學材料的新型材料，其優異的光學性能是由產品的光學性能、熱力學、機械性能等方面的指標決定的，硒化鋅的技術指標主要考慮硒化鋅作為一種光學材料來控制材料的指標要求
硒化鋅的用途廣泛，應用領域各不相同，折射率參數視不同要求而定，折射率的差別是通過鏡面拋光和鍍膜而實現。折射率溫度系數也叫折射率溫度變化率，一般以波長為10.6微米的光在硒化鋅溫度每變化一度時折射率的改變程度來衡量硒化鋅的折射率在不同溫度下的變化，從而確定硒化鋅的產品質量，以6.1*10-5/K為指標是綜合當今市場需求而制定的。投射率和光吸收系數均以10.6微米的波長為試驗光波長，因為在該波長條件下，光的投射和吸收能最充分反應硒化鋅光學材料的光學性能，可充分適應紅外、激光、反射等光學應用的要求。
熱力學方面對于光學材料均以導熱系數（也叫熱傳導率）、比熱、熱膨脹系數為考量要求，硒化鋅是一種黃色透明的多晶材料，是一種光學材料，也同樣用導熱系數、比熱、熱膨脹系數作為主要的這種光學材料的要求。綜合國內外的硒化鋅的材料要求，把導熱率定為18W/m/℃，比熱定為0.356J/g/℃，熱膨脹系數定為7.57ppm/K
機械性能是硒化鋅光學材料的特定要求。硒化鋅的理論密度為5.27g/cm3。楊氏模量為10.2Mpsi/8.9Mpsi、努氏硬度為105～120Kg/mm2滿足市場上各中用途的硒化鋅對這些指標的要求。而泊松比和密度則為該中光學材料的固有特性。
毛坯加工
將生長出來的晶體進行研磨，根據研磨質量不同要求選用不同顆粒的細沙進行研磨，去除表面不均勻部分，根據產品尺寸要求在切割機上進行切割，切割完成后在水浴鍋中進行融蠟粘接（水浴鍋采用電加熱，加熱溫度60℃，用融化后的石蠟的粘性粘接切割后的晶體，因只需把石蠟由固態加熱至液態即可，固無廢氣產生），融蠟粘接完成后按照客戶要求尺寸進行晶體滾圓，滾圓后進行水解(用水對石蠟進行溶解)，水解完成后進行清洗，倒邊，檢驗合格后為成品，不合格回到晶體切割工序再利用。
拋光加工：
晶體毛坯通過銑磨機進行銑磨，銑磨過程中產生廢水，銑磨后再精磨，精磨過程中采用金剛砂進行精磨，精磨完成后進行拋光，拋光完成后進行定心割邊，定心割邊完成后進行清洗檢驗，清洗采用無水乙醇清洗擦拭（擦拭在擦拭臺進行，無水乙醇用量極少，無需封閉集氣處理。檢驗合格后為成品
精磨拋光
（1）細磨精磨：
1清洗模具：用洗衣粉清洗模具，以免上邊殘留的磨料劃傷工件。
2適當調整碾磨機的轉速，待磨輪轉動均勻后，開始磨修。
3細磨精磨的方法：
(a)磨平面時，先將工件輕輕放在磨輪上，然后輕輕加力并與磨輪轉動方向呈反方向運動，運動軌跡最好成橢圓型，每磨固定圈數后，將工件自身旋轉一定的角度，繼續磨修。將工件放在磨輪中間可以磨修邊緣，放在磨輪邊緣可以磨修工件中間。注意不要用力過大，否則可能會使工件飛出或者造成劃痕。
(b)磨凸面時，方法與平面基本相同，當工件沿外緣轉動時可以磨修中間，當工件在中間轉動時可以磨修邊緣。
(c)當工件磨修差不多的時候，可以停止磨修，洗凈工件，用六倍放大鏡觀察表面紋路，是否有劃痕和沙眼，如果有繼續修磨。
(d)若表面合格，使用刀口尺觀察平面的平整度，觀察合格的標準為平面中心有一條頭發絲細的亮線。
4細磨使用302#的沙，精磨使用303、304的沙。
5由細磨轉為精磨的過程中，模具必需用洗衣粉清洗干凈。
6六倍放大鏡和刀口尺的使用方法：
六倍放大鏡應在100W的白熾燈光下使用，使用時應遠離工件10cm左右，看工件時工件應該斜對著燈光，邊觀察邊慢慢旋轉工件。使用刀口尺時，工件表面要確保干燥，要仰視工件就與刀口尺的結合部，使用刀口尺觀察兩次，兩次角度應垂直。
（2）拋光（古典法）：
1上盤：用瀝青剛性上盤，上盤完后清洗拋光面。
2調整好機床轉速、擺幅，準備好熱水、拋光液。
3預熱拋光模：將拋光模在50~60度的熱水中燙一下，使拋光模軟化。
4在拋光模上涂上拋光液，覆蓋在鏡盤上，用手推幾下，使之吻合。放上鐵筆，開動機床，開始拋光。邊拋光邊添加拋光液。
5拋光約15分鐘后，取下工件，用洗衣粉洗凈拋光面，用六倍放大鏡觀察表面疵病。在已拋光面上滴一滴乙醚與酒精的混合液，用紗布擦凈，用同樣的方法處理標準工件，然后使兩者貼合在燈光下觀察光圈。
6光圈的識別和修改：
低光圈：加壓，空氣減少，光圈縮小，光圈顏色為藍、紅、黃
高光圈：加壓，空氣減少，光圈外擴，光圈顏色為黃、紅、藍
工件在上：低光圈，工件往里收，多拋邊沿；高光圈，工件往外拉，多拋中心。
工件在下：低光圈，往外拉，多拋邊緣；高光圈，往里收，多拋中心。
7下盤，用汽油洗掉瀝青，再上盤，拋另一面。注意已拋面應涂上保護漆，用酒精洗掉保護漆。
8兩面都拋光合格后，清洗工件。清洗工作臺，拋光結束。
9拋光的目的：
(a)去掉表面的破壞層，達到規定的粗糙度。
(b)精修面形，達到圖紙要求的面形。
(c)為以后的特種工藝如鍍膜，膠合工序創造條件。
定心磨邊
機械法定心：
1定心原理：
機械法定心是將透鏡放在一對同軸精度高、端面精確垂直于軸線的接頭之間，利用彈簧壓力夾緊透鏡，根據力的平衡來實現定心。其中一個接頭可以轉動，另一個既能轉動又能沿軸向移動。
2操作自動定心磨邊機：
打開電源，先開水泵，然后開砂輪。
接著根據零件的尺寸調節前邊的定位千分尺，調節后邊的千分尺對刀，聽到細微的摩擦聲即對刀完成，再將千分尺向后擰一些，然后再次調節前邊的千分尺，調節至目標尺寸。然后即可按下自動操作鍵，磨邊機會自動完成定心磨邊。
氣泡和條紋-微觀的：
所有晶體和玻璃材料，沒有完美的材料，都會有細小的氣泡或是條紋；這個在國標中有規定。ICC的符合國標。
需要注意的是，有些氣泡和條紋，在棒材階段是監測不出來的，切片也看不出，只有精密拋光后，在有經驗的檢驗員或是精密檢測儀器下，才能看到。
包裹物，散射顆粒：
晶體材料里面有可見白點，星星點點，用激光筆照射候，發光。這些是絕對不合格品的表現。
顏色：
顏色多是材料在清洗過程中，酸堿配比不一致；亮度不一致，多為晶體方向或是晶體結構不同，譬如111方向可能不如100方向更亮或是透一些。
晶體定向知識-為何晶體要定向
晶體結構即晶體的微觀結構，是指晶體中實際質點（原子、離子或分子）的具體排列情況。自然界存在的固態物質可分為晶體和非晶體兩大類，固態的金屬與合金大都是晶體。晶體與非晶體的最本質差別在于組成晶體的原子、離子、分子等質點是規則排列的（長程序），而非晶體中這些質點除與其最相近外，基本上無規則地堆積在一起（短程序）。金屬及合金在大多數情況下都以結晶狀態使用。晶體結構是決定固態金屬的物理、化學和力學性能的基本因素之一。
晶系
已知晶體形態超過四萬種，它們都是按七種結晶模式發育生長，即七大晶系。晶體是以三維方向發育的幾何體，為了表示三維空間，分別用三、四根假想的軸通過晶體的長、寬、高中心，這幾根軸的交角、長短不同而構成七種不同對稱、不同外觀的晶系模式：等軸晶系，四方晶系，三方晶系，六方晶系，斜方晶系，單斜晶系，三斜晶系。
晶面
晶面指數（indices of crystal face）是晶體的常數之一，是晶面在3個結晶軸上的截距系數的倒數比，當化為整數比后，所得出的3個整數稱為該晶面的米勒指數（Miller index）。六方和三方晶系晶體當選取4個結晶軸時，一個晶面便有4個截距系數，由它們的倒數比所得出的4個整數則稱為晶面的米勒—布拉維指數（Miller Bravais indices）。以上兩種指數一般通稱為晶面指數
在晶體中，原子的排列構成了許多不同方位的晶面，故要用晶面指數來分別表示這些晶面。晶面指數的確定方法如下：
1．對晶胞作晶軸X、Y、Z，以晶胞的邊長作為晶軸上的單位長度；
2．求出待定晶面在三個晶軸上的截距（如該晶面與某軸平行，則截距為∞）
3．取這些截距數的倒數，例如 110，111，112等；
4．將上述倒數化為最小的簡單整數，并加上圓括號，即表示該晶面的指數，一般記為（hkl），例如（110），（111），（112）等。
晶向
晶向是指晶體的一個基本特點是具有方向性，沿晶格的不同方向晶體性質不同。布拉維點陣的格點可以看成分列在一系列相互平行的直線系上，這些直線系稱為晶列。同一個格點可以形成方向不同的晶列，每一個晶列定義了一個方向，稱為晶向。
標志晶向的這組數稱為為晶向指數。
由于晶體具有對稱性，有對稱性聯系著的那些晶向可以方向不同，但它們的周期卻相同，因而是等效的，這些等效晶向的全體可用尖括號< α β γ >來表示。對于立方系，晶向[100]、[010]、[001]及其相反晶向就可以用<100>表示，其它晶系不適用。
立方晶系的晶向指數可用[uvw]來表示。其確定步驟為:
(1)選定晶胞的某一陣點為原點,以晶胞的3條棱邊為坐標軸,以棱邊的長度為單位長度;
(2)若所求晶向未通過坐標原點,則過原點作一平行于所求晶向的有向直線;
(3)求出該有向直線上距原點最近的一個陣點的坐標值u、v和w;
(4)將三個坐標值按比例化為最小整數,依次放入方括號[]內,即為所求晶向指數
可見光
指能引起視覺的電磁波?？梢姽獾牟ㄩL范圍在0.77～0.39微米之間。波長不同的電磁波，引起人眼的顏色感覺不同。0.77～0.622微米，感覺為紅色；0.622～0.597微米，橙色；0.597～0.577微米，黃色；0.577～0.492微米，綠色；0.492～0.455微米，藍靛色；0.455～0.39微米，紫色。
紅外光譜（infrared spectra）
指以波長或波數為橫坐標以強度或其他隨波長變化的性質為縱坐標所得到的反映紅外射線與物質相互作用的譜圖。按紅外射線的波長范圍，可粗略地分為近紅外光譜（波段為0.8～2.5微米）、中紅外光譜（2.5～25微米）和遠紅外光譜（25～1000微米）。對物質自發發射或受激發射的紅外射線進行分光，可得到紅外發射光譜，物質的紅外發射光譜主要決定于物質的溫度和化學組成；對被物質所吸收的紅外射線進行分光，可得到紅外吸收光譜。每種分子都有由其組成和結構決定的獨有的紅外吸收光譜，它是一種分子光譜。分子的紅外吸收光譜屬于帶狀光譜。原子也有紅外發射和吸收光譜，但都是線狀光譜。
紫外光譜
紫外光譜是分子中某些價電子吸收了一定波長的電磁波，由低能級躍近到高能級而產生的一種光譜，也稱之為電子光譜。目前使用的紫外光譜儀波長范圍是200~800nm。其基本原理是用不同波長的近紫外光（200~400nm）依次照一定濃度的被測樣品溶液時，就會發現部分波長的光被吸收。如果以波長λ為橫坐標（單位nm），吸收度 （absorbance）A為縱坐標作圖，即得到紫外光譜（ultra violet spectra，簡稱UV）。
